---
title: "ما هي تقنية High-NA EUV؟ ولماذا تعد مهمة لمستقبل صناعة الرقائق؟"
description: "تعت? د صناعة ال? عالجات الحديثة على طباعة ? ليارات الترانزستورات داخل ? ساحة صغيرة للغاية، لكن الاست? رار في تصغير هذه ال? كونات يجعل ع? لية التصنيع أكثر تعقيداً ? ع كل جيل جديد. ولهذا بدأت صناعة أشبا..."
url: https://awalbyte.com/%d8%aa%d9%82%d9%86%d9%8a%d8%a9-high-na-euv/
date: 2026-09-21
modified: 2026-09-19
author: "فريق تحرير أول بايت"
image: https://awalbyte.com/wp-content/uploads/2026/09/ما-هي-تقنية-High-NA-EUV؟-ولماذا-تعد-مهمة.webp
categories: ["تكنولوجيا"]
type: post
lang: ar
---

# ما هي تقنية High-NA EUV؟ ولماذا تعد مهمة لمستقبل صناعة الرقائق؟

تعتمد صناعة المعالجات الحديثة على طباعة مليارات الترانزستورات داخل مساحة صغيرة للغاية، لكن الاستمرار في تصغير هذه المكونات يجعل عملية التصنيع أكثر تعقيداً مع كل جيل جديد.

ولهذا بدأت صناعة أشباه الموصلات الانتقال إلى جيل أكثر تطوراً من معدات الطباعة الحجرية يعرف باسم **High-NA EUV**.

وخلال 2026 انتقلت التقنية من مرحلة التجارب إلى التصنيع الفعلي لبعض الرقائق، بالتزامن مع إعلان شركات كبرى مثل Intel وTSMC وSamsung خططاً أوسع لاستخدامها خلال السنوات القادمة.

لكن ما الذي تفعله هذه الآلات فعلياً؟ ولماذا تحتاج صناعة الرقائق إلى معدات جديدة حتى تتمكن من تصنيع ترانزستورات أصغر؟

## **ما هي تقنية High-NA EUV؟**

High-NA EUV هي الجيل الجديد من تقنية **الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية القصوى Extreme Ultraviolet Lithography** المستخدمة في تصنيع أكثر الشرائح الإلكترونية تطوراً.

تشير EUV إلى استخدام ضوء بطول موجي يبلغ نحو **13.5 نانومتر** لطباعة الأنماط الدقيقة التي ستتحول لاحقاً إلى مكونات وترانزستورات داخل الشريحة.

أما High-NA فتعني **High Numerical Aperture** أو الفتحة العددية العالية.

رفعت أنظمة High-NA الجديدة الفتحة العددية من **0.33 في أنظمة EUV السابقة إلى 0.55**.

وقد يبدو هذا مجرد تغيير في رقم تقني، لكنه يسمح لنظام الطباعة بتمييز وطباعة تفاصيل أصغر على الرقاقة.

وهذه القدرة تصبح أكثر أهمية مع انتقال صناعة أشباه الموصلات إلى أجيال ذات كثافة ترانزستورات أعلى.

## **كيف تتم صناعة الرقائق باستخدام EUV؟**

لا تُصنع المعالجات عن طريق وضع الترانزستورات واحداً تلو الآخر.

تبدأ العملية برقاقة سيليكون تعرف باسم **Wafer**، ثم تمر عبر سلسلة طويلة من العمليات التي تبني طبقات الشريحة.

في بعض المراحل، يجب نقل أنماط متناهية الصغر إلى سطح الرقاقة.

هنا يأتي دور أجهزة Lithography.

تستخدم أنظمة EUV ضوءاً شديد القصر في الطول الموجي، وتوجهه عبر منظومة دقيقة من المرايا قبل إسقاط النمط المطلوب على الرقاقة المغطاة بمادة حساسة للضوء.

بعد ذلك تمر الرقاقة بعمليات إضافية للحفر والترسيب والمعالجة.

وتتكرر هذه الخطوات مرات عديدة حتى تتشكل البنية المعقدة للشريحة.

لهذا تعد Lithography واحدة من أكثر المراحل حساسية في صناعة أشباه الموصلات.

## **ما الفرق بين EUV وHigh-NA EUV؟**

الاختلاف الأساسي هو **الدقة التي تستطيع منظومة الطباعة تحقيقها**.

تعتمد قدرة نظام Lithography على طباعة تفاصيل صغيرة على عدة عوامل، من بينها طول موجة الضوء والفتحة العددية للنظام.

تستخدم أنظمة EUV الحالية وتقنية High-NA EUV الطول الموجي نفسه تقريباً، لكن High-NA ترفع الفتحة العددية إلى 0.55.

وتقول ASML إن منصة EXE الجديدة تستطيع تحقيق دقة تبلغ نحو **8 نانومتر**.

كما تستطيع طباعة خصائص أصغر بنحو **1.7 مرة** مقارنة بمنصة EUV ذات NA يبلغ 0.33، ما يتيح نظرياً الوصول إلى كثافة ترانزستورات أعلى بنحو **2.9 مرة** ضمن ظروف المقارنة التي تحددها الشركة.

أي أن High-NA لا تستبدل EUV بفكرة مختلفة تماماً، وإنما تدفع التقنية نفسها إلى مستوى أعلى من الدقة.

## **لماذا تحتاج صناعة الرقائق إلى High-NA EUV؟**

كلما أصبحت المكونات المطلوب طباعتها أصغر، يصبح من الصعب إنتاج بعض الأنماط المطلوبة باستخدام تعريض واحد.

إحدى الطرق للتعامل مع ذلك هي **Multi-Patterning**، حيث يجري تقسيم نمط معقد إلى أكثر من عملية طباعة ومعالجة.

لكن زيادة عدد الخطوات تعني المزيد من التعقيد والوقت وفرص حدوث أخطاء أثناء التصنيع.

الدقة الأعلى التي توفرها High-NA يمكن أن تسمح بطباعة بعض الأنماط بعملية أبسط بدلاً من تقسيمها إلى عدة عمليات.

ولهذا لا تتعلق فائدتها بتصغير الترانزستورات فقط، وإنما أيضاً بمحاولة الحد من التعقيد الذي يصاحب تصنيع الأجيال المستقبلية من الرقائق.

## **هل High-NA EUV مخصصة لرقائق 2 نانومتر؟**

لا توجد علاقة بسيطة تقول إن كل رقاقة 2 نانومتر يجب أن تستخدم High-NA.

أسماء العقد التصنيعية الحديثة مثل 2nm لا تمثل قياساً حرفياً واحداً لكل مكونات الشريحة، كما تستطيع الشركات اختيار عمليات تصنيع مختلفة لكل طبقة.

لكن ASML صممت منصة High-NA لدعم أجيال مستقبلية من عمليات Logic وMemory، بدءاً من كثافات مرتبطة بعقد من فئة 2 نانومتر وما بعدها.

ولهذا من الأفضل النظر إلى High-NA على أنها **أداة إضافية في خارطة طريق تصنيع الرقائق المتقدمة**، وليس شرطاً ثابتاً مرتبطاً باسم عقدة معينة.

## **ما الذي تغير في High-NA EUV خلال 2026؟**

هنا تكمن أهمية التقنية الآن.

لم تعد High-NA مجرد آلة تجريبية يجري الحديث عن استخدامها مستقبلاً.

في يوليو 2026 أعلنت ASML أن Intel Foundry بدأت استخدام High-NA EUV في التصنيع واسع النطاق على طبقات محددة من بعض معالجات **Intel Core Ultra Series 3 المعروفة باسم Panther Lake** والمبنية على عملية Intel 18A.

وفي سبتمبر أعلنت Intel وASML أن أكثر من **مليون Wafer** مرت عبر أنظمة High-NA ضمن عمليات تشمل الاختبارات والبحث والتطوير والإنتاج لبعض الطبقات، مع وصول مؤشرات مثل الإنتاجية والتوافر ودقة المحاذاة إلى توقعات Intel.

وهذا يمثل انتقالاً مهماً: من إثبات أن التقنية تستطيع طباعة أنماط دقيقة داخل المختبر، إلى إثبات إمكانية دمجها في بيئة تصنيع حقيقية.

## **ماذا تفعل TSMC وSamsung مع High-NA؟**

لا تتحرك جميع شركات أشباه الموصلات بالجدول الزمني نفسه.

في سبتمبر 2026 أعلنت **TSMC وASML** مبادرة مشتركة لتطوير الجيل القادم من الأقنعة المستخدمة مع High-NA.

وتقول TSMC إنها تنوي استخدام High-NA في التصنيع واسع النطاق للعقد المتقدمة ابتداءً من **2030**، مع توقع زيادة عدد الطبقات التي تحتاج إليها مع ازدياد تعقيد بنى الترانزستورات المستخدمة خصوصاً في تطبيقات الذكاء الاصطناعي.

وفي الشهر نفسه أعلنت **Samsung وASML** توسيع تعاونهما، مع خطة Samsung لإدخال High-NA EUV إلى التصنيع واسع النطاق لأجيال مستقبلية من **DRAM بحلول 2028**.

وهذا يعني أن استخدام التقنية لن يقتصر على المعالجات المنطقية، بل يمتد أيضاً إلى الذاكرة.

## **لماذا ترتبط High-NA بطفرة الذكاء الاصطناعي؟**

تحتاج مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي إلى كميات متزايدة من المعالجات والمسرعات والذاكرة عالية الأداء.

وهذا يضع ضغطاً مستمراً على شركات أشباه الموصلات لزيادة الأداء والكفاءة وكثافة المكونات.

High-NA ليست «تقنية ذكاء اصطناعي» بحد ذاتها، لكنها واحدة من التقنيات التي يمكن أن تساعد المصانع على إنتاج أجيال أكثر تقدماً من الشرائح التي تستخدم لاحقاً في أنظمة AI وغيرها من التطبيقات.

والطلب على معدات التصنيع المتقدمة أصبح واضحاً بالفعل؛ إذ ذكرت رويترز في سبتمبر أن كبار مصنعي الرقائق يتجهون إلى تبني High-NA، بينما تعمل ASML على زيادة قدرتها الإنتاجية لمعدات EUV مع ارتفاع الطلب المرتبط بالحوسبة والذكاء الاصطناعي.

## **لماذا تعد آلات High-NA معقدة للغاية؟**

الطباعة باستخدام EUV مختلفة جذرياً عن استخدام جهاز عرض ضوئي تقليدي.

تمتص معظم المواد ضوء EUV، ولذلك لا تستطيع هذه الأنظمة استخدام العدسات الزجاجية المعتادة لنقل الضوء.

بدلاً من ذلك تعتمد الآلة على مجموعة من **المرايا فائقة الدقة** التي تعمل داخل بيئة مفرغة.

وفي High-NA أصبحت المنظومة البصرية أكثر تعقيداً بسبب الحاجة إلى رفع الفتحة العددية إلى 0.55.

طورت ASML هذه البصريات بالتعاون مع ZEISS، وتستخدم منصة EXE تصميماً بصرياً جديداً إلى جانب مراحل أسرع لتحريك الرقاقة والقناع أثناء عملية الطباعة.

## **كم تبلغ تكلفة آلة High-NA EUV؟**

هذه ليست معدات يمكن لمصنع إلكترونيات عادي شراؤها.

ذكرت رويترز في سبتمبر 2026 أن تكلفة نظام High-NA EUV تبلغ حوالي **400 مليون دولار**.

وهذا السعر الهائل ليس التحدي الوحيد.

يحتاج المصنع أيضاً إلى بنية تحتية وعمليات تصنيع وأدوات قياس وفحص ومواد وأقنعة متوافقة مع التقنية.

ولهذا يجري إدخال High-NA تدريجياً على الطبقات التي تستطيع تقديم قيمة اقتصادية وتقنية واضحة بدلاً من استبدال جميع معدات EUV الموجودة دفعة واحدة.

## **هل ستستبدل High-NA آلات EUV الحالية؟**

ليس في المستقبل القريب.

يمكن لمصنع رقائق استخدام تقنيات Lithography مختلفة داخل عملية تصنيع واحدة.

بعض الطبقات قد تحتاج إلى High-NA، بينما يمكن تصنيع طبقات أخرى باستخدام EUV التقليدية أو حتى تقنيات DUV الأقدم.

والعامل الحاسم ليس امتلاك أحدث آلة فقط، بل تحديد التقنية الأكثر كفاءة اقتصادياً لكل طبقة.

لهذا من المتوقع أن تعمل أجيال مختلفة من معدات Lithography جنباً إلى جنب داخل المصانع لسنوات.

## **ما علاقة الأقنعة الجديدة بمستقبل High-NA؟**

ظهرت خلال سبتمبر 2026 أيضاً مشكلة أخرى تحاول الصناعة حلها.

تستخدم الصناعة منذ عقود أقنعة Photomask بقياس 6 بوصات تقريباً، لكن البنية البصرية لـHigh-NA تفرض قيوداً على مساحة التعريض.

لذلك بدأت ASML وTSMC ومصنعون آخرون العمل على الانتقال مستقبلاً إلى **أقنعة بقياس 12 بوصة**.

الهدف هو تحسين إنتاجية الأنظمة وإتاحة تصنيع شرائح كبيرة متقدمة دون الاعتماد على حلول أكثر تعقيداً لدمج مناطق التعريض.

تستهدف المبادرة إنشاء خط تجريبي للأقنعة الجديدة بحلول 2031، تمهيداً لاستعداد الأنظمة للإنتاج المتقدم في 2033.

وهذا يوضح أن High-NA نفسها ليست نهاية الطريق؛ فالمنظومة المحيطة بها ما تزال تتطور.

## **ماذا تعني High-NA EUV لمستقبل الرقائق؟**

لسنوات، كان السؤال حول High-NA هو ما إذا كانت التقنية ستتمكن من الخروج من المختبر والوصول إلى مصانع الرقائق.

في 2026 بدأ السؤال يتغير.

Intel أدخلتها بالفعل إلى تصنيع بعض الطبقات، Samsung تخطط لاستخدامها في DRAM، وTSMC وضعت جدولاً زمنياً لاستخدامها في العقد المتقدمة.

لذلك أصبحت High-NA جزءاً فعلياً من خارطة طريق صناعة أشباه الموصلات.

لكنها لا تعني أن تصغير الرقائق أصبح سهلاً.

كل خطوة نحو كثافات أعلى تفتح تحديات جديدة في التصميم والمواد والطاقة والتغليف والذاكرة والتكلفة.

ولهذا ستكون High-NA واحدة من عدة تقنيات تحدد شكل الأجيال القادمة من الرقائق، إلى جانب تقنيات مثل **Chiplets والتغليف المتقدم والذاكرة عالية النطاق HBM والفوتونيات السيليكونية**.

التحول الحقيقي ليس مجرد امتلاك آلة تستطيع طباعة تفاصيل أصغر، بل قدرة صناعة كاملة على تحويل هذه الدقة إلى مليارات الرقائق التي تعمل بصورة موثوقة وبتكلفة يمكن للسوق تحملها.